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| Dispositivo ReRAM. (Foto: UCL/Adnan Mehonic) |
El primer chip de memoria RAM resistiva basado por completo en óxido de silicio y capaz de operar a temperatura ambiente ha sido desarrollado por un equipo de investigadores del University College de Londres.
Este logro abre una puerta hacia el desarrollo de nuevas memorias de alta velocidad para ordenadores.
Los chips de memoria RAM resistiva se basan en materiales, en su mayoría óxidos de metales, que al aplicarles un voltaje cambian su resistencia eléctrica y "recuerdan" este cambio incluso después haberles retirado el voltaje.
Estos chips de memoria prometen permitir un almacenamiento de memoria significativamente mayor que el de la tecnología actual, como las memorias flash usadas en dispositivos de memoria USB, y requieren de mucho menos espacio y energía.
El equipo de Tony Kenyon y Adnan Mehonic ha desarrollado una novedosa estructura compuesta de óxido de silicio que realiza el cambio en la resistencia eléctrica de un modo mucho más eficiente que el conseguido anteriormente.
En su material, la disposición de los átomos de silicio cambia para formar filamentos de silicio dentro del óxido de silicio sólido. Dichos filamentos tienen una menor resistencia.
La presencia o ausencia de estos filamentos representa un cambio de un estado a otro.
A diferencia de otros chips de óxido de silicio actualmente en desarrollo, este chip no requiere del vacío para poder funcionar, y sería por tanto más barato y duradero.
El diseño del nuevo chip también plantea la posibilidad de desarrollar chips de memoria transparentes que puedan ser usados en pantallas táctiles y dispositivos móviles.
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